格芯发布40/22nm边缘AI平台，GCRAM存储同步流片

2026 年 9 月 2 日，格芯（GlobalFoundries）在年度技术峰会上同时开辟了两条边缘 AI 战线：宣布面向智能边缘、连接与「物理 AI」应用的新 UX 平台家族（40nm 的 40UX 与 22nm 的 22UX）正式向客户提供 PDK；同日披露与无晶圆存储设计公司 RAAAM Memory Technologies 的战略合作——在 FDX 平台上开发并认证增益单元存储技术 GCRAM，测试芯片已完成流片。

两项官宣相关却不同，厘清区别才能看懂格芯的战略。UX 家族是工艺平台打法：为开发成本敏感边缘设备的客户提供 PDK。GCRAM 则是存储 IP 打法：由合作伙伴 RAAAM 提供专利的增益单元 RAM，格芯负责代工并协助在自家 22nm FD-SOI 工艺上完成认证，瞄准边缘 AI 与车载芯片日益凸显的片上存储瓶颈。

UX 平台家族：两个节点，同一个边缘 AI 赌注

UX 平台建立在格芯已有的量产规模之上。40UX 基于格芯高产量的 40nm 工艺并集成嵌入式闪存——该节点出货已超过一百万片晶圆——主打成本与成熟度优先的智能边缘与连接产品。量产定于 2027 年在新加坡启动，随后扩展至纽约 Malta。22UX 则是基于格芯久经验证的 28nm 基底开发的模拟优化 22nm 工艺（同样拥有逾百万片晶圆的积累），在德国德累斯顿制造，并向多站点生产演进。两个平台为客户搭起阶梯：40nm 主打低成本大批量，22nm 提供更高的模拟/混合信号密度。

格芯 CMOS 业务高级副总裁 Ed Kaste 表示：「新的 UX 平台家族为客户提供了一条可扩展的路径，用于开发面向智能边缘的差异化产品。」时点选择绝非偶然：边缘推理与物理 AI——在物理世界中感知与行动的机器——被普遍视为成熟制程代工厂的下一个放量引擎。格芯正用差异化工艺对阵头部代工厂的规模经济学。

GCRAM：攻克片上存储瓶颈

GCRAM 合作解决的是另一个约束。在边缘 AI 芯片中，片上存储日益主导裸片面积与功耗；传统 SRAM 是默认选择，却也是面积最「奢侈」的选项。GCRAM 是一种增益单元 RAM——用类似 DRAM 的位单元架构替代六管 SRAM 单元，用更少的晶体管换取显著更小的面积与更低的漏电，代价是稍复杂的访问逻辑。以色列无晶圆初创公司 RAAAM 已为此技术商业化多年，其对外宣称 GCRAM 相比 SRAM 面积最多可缩小 50%、功耗最多降低三分之二。

在格芯 FDX 平台上，双方称协同设计的 GCRAM 位单元相比商用 SRAM 实现了 40% 的存储面积缩减与最高 60% 的存储功耗下降。RAAAM 首席执行官 Robert Giterman 表示：「GCRAM 测试载体在格芯 FDX 平台上的成功流片，证明了 RAAAM 的存储创新与格芯制造优势之间的强大协同。」NXP 半导体被描述为正在密切评估该方案，首批客户设计访问预计 2027 年初开放。

该合作嵌入了格芯更广的存储组合战略。格芯已有量产 eMRAM，2025 年 8 月又宣布推出集成 RRAM（氧化基嵌入式非易失存储，面向神经网络权重存储）的 22FDX+，合作伙伴为 Nordic Semiconductor，2026 年进入量产。RRAM 与 eMRAM 主攻非易失存储，GCRAM 则主攻推理负载中仍占功耗与面积大头的运行内存——同一张拼图上的互补一块。

FD-SOI 为何在边缘持续胜出

两项官宣的背后，是格芯对 FD-SOI 的长期押注。22FDX 平台的自适应体偏置技术允许设计者动态调节晶体管阈值电压，可实现在 0.4V 标称电压下工作，单位 MHz 功耗相比 0.5V 方案降低约三成；其 ULL SRAM 单元的保持漏电低至约每单元 0.35 皮安——比典型的 12nm 级工艺低约五倍。对于必须持续运行小型推理模型的电池供电、常开设备而言，「超低压逻辑 + 低漏电存储」的组合正中市场痛点。

看到这一点的并不只有格芯。意法半导体正推进集成嵌入式 PCM 的 18nm FD-SOI，三星已把 28FDS 演进至 18FDS，行业分析预计 FD-SOI 工艺市场将从 2022 年的约 9.3 亿美元增至 2027 年的逾 40 亿美元。边缘 AI 的故事正日益变成一个存储的故事——而格芯的赌注是：把差异化的 FD-SOI 工艺与 eMRAM、RRAM、增益单元 RAM 的组合拳搭配起来，就能在头部代工厂无暇顾及的 AI 浪潮中，占住属于自己的那块市场。