SK海力士发布全栈AI存储战略，3D存储成下一代重点

9月8日，SK海力士在未来论坛2026上进一步阐释了其存储战略的深层转型。公司CEO郭鲁正在2025年11月的SK AI峰会上首次提出，SK海力士将从全栈存储供应商升级为全栈存储创造者。这一措辞变化意味着：公司不再局限于向芯片厂商供应存储器件，而是要共同设计从HBM基础裸片上的逻辑电路到数据中心冷数据层SSD的整个存储系统。

三大支柱

该战略由三大支柱构成，每个支柱对应不同的产品家族。

定制HBM是第一个、也是影响最深远的支柱。其核心思路是将部分计算功能从GPU或专用加速器下沉到HBM堆叠底部的基础裸片上。该裸片采用逻辑工艺而非传统DRAM工艺制造——SK海力士已与台积电合作，使用其12纳米和3纳米工艺。通过将逻辑计算拉近存储端，公司旨在降低数据传输功耗、提升推理效率、降低数据中心总拥有成本。

第二支柱AI DRAM分为三个方向：优化方向提供低功耗高性能模组，如MRDIMM、SOCAMM2和LPDDR5R；突破方向以CXL内存模组和存内计算等超高容量方案应对存储墙问题；扩展方向将HBM等技术延伸至机器人、汽车和工业自动化等非数据中心领域。

第三支柱AI NAND同样分为三路：性能方向聚焦超高性能SSD，计划2026年底出样；带宽方向将HBM式堆叠架构引入闪存，即高带宽闪存HBF；密度方向基于QLC技术实现PB级容量，兼顾SSD速度与硬盘经济性。

3D存储：消融存储与计算的边界

将三大支柱串联起来的概念是3D存储。副总裁林义哲在论坛上将其描述为3D堆叠DRAM、HBM和高带宽闪存根据不同负载特性组合的最优方案。韩国大学教授申昌焕在同一场合给出了更具挑战性的表述：3D不仅是垂直堆叠芯片的技术，更是消除存储器与计算芯片之间界限的技术。

这一边界消融在高带宽闪存方向上体现得最为具体。闪迪于2025年2月首次提出HBF概念，SK海力士与闪迪同年8月签署合作备忘录，2026年2月启动标准化工作，8月开放计算项目联盟发布了首套规范。单堆栈读取带宽预计达1.6至3.2太字节每秒，容量最高512吉字节——比HBM单体容量高出一个数量级，每比特成本更低。目前尚无HBF产品实际交付，但从概念到行业规范仅约18个月的推进速度，释放了明确的产业信号。

市场地位与竞争压力

SK海力士以强势姿态进入这一战略转型期。据Counterpoint Research数据，2026年第二季度公司全球HBM出货量份额约50%，领先三星的33%和美光的18%。全年HBM产能已全部售罄，订单排至2027年第一季度，核心客户锁定至2028年底。公司还承担了英伟达约70%的HBM4供应量。

产能节点同样印证领先地位：12层HBM4于2026年7月量产并开始向英伟达交付；321层3D NAND已量产，375层计划年底投产。

然而竞争格局正在快速变化。三星HBM份额从2026年第一季度的21%跃升至第二季度的33%，三个月内缩小与SK海力士的差距从37个百分点至17个百分点。瑞银预测2027年两家可能各占约40%。三星作为集逻辑、存储、代工和封装于一体的综合性制造商，其结构性优势是纯存储企业难以轻易复制的。

正是这一竞争压力赋予了全栈战略紧迫性。如果HBM走向商品化，无论份额多高利润终将承压。通过向定制逻辑、系统级优化和HBF等新品类上移价值链，SK海力士押注的是：AI存储竞争的下一阶段，赢家不在于谁出货量最大，而在于谁最完整地解决客户的系统问题。

尚待验证之处

战略的若干环节仍属远景规划。定制HBM需要与每个客户深度协同工程开发，一旦AI专用芯片设计碎片化，该模式扩展性存疑。3D堆叠DRAM作为独立产品面临散热和工艺复杂度挑战，公司设计研究院副总裁金京勋在论坛上坦言这一点。高带宽闪存尚无出货产品。已宣布的美国印第安纳州先进封装基地要到2028年下半年才能投产，这意味着供应链的地缘政治预期与制造现实之间存在多年窗口期。

SK集团董事长崔泰源在AI峰会上说，AI产业正从规模竞赛转向效率竞赛。全栈存储战略正是这一判断的延伸——把存储当作架构而非器件来做，是这个赌注的核心。